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STD12NF06LT4

STD12NF06LT4

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STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK


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N沟道 60V 12A


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STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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STD12NF06L 系列 N 沟道 60 V 0.1 Ohm STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-252-3


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# STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V


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60V,0.08Ω,12A,N沟道功率MOSFET


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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK


STD12NF06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 12.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

输入电容 350 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 通信与网络, 工业, Computers & Computer Peripherals, Automotive, Communications & Networking, 计算机和计算机周边, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STD12NF06LT4引脚图与封装图
STD12NF06LT4引脚图

STD12NF06LT4引脚图

STD12NF06LT4封装图

STD12NF06LT4封装图

STD12NF06LT4封装焊盘图

STD12NF06LT4封装焊盘图

在线购买STD12NF06LT4
型号 制造商 描述 购买
STD12NF06LT4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STD12NF06LT4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD12NF06LT4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STD12NF06T4

品牌： 意法半导体

封装： TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ

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STD12NF06LT4和STD12NF06T4的区别

型号： NTD3055L104T4G

品牌： 安森美

封装： TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms

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型号： NTD18N06LT4G

品牌： 安森美

封装： TO-252 N-Channel 60V 18A 54mohms

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