2N5884G、BD436、2N5884对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N5884G BD436 2N5884

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N5884G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管

封装 TO-204-2 77-09 TO-204

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 2 - 3

封装 TO-204-2 77-09 TO-204

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tray - Tray

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

频率 4 MHz - -

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 -25.0 A - -25.0 A

针脚数 2 - -

极性 PNP, P-Channel - Dual P-Channel

耗散功率 200 W - 200 W

增益频宽积 4 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V - 80 V

热阻 0.875℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 25A - 25A

最小电流放大倍数(hFE) 20 - 20 @10A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 100

额定功率(Max) 200 W - 200 W

直流电流增益(hFE) 4 - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW - 200000 mW

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -