2N5884G中文资料参数规格
技术参数
频率 4 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -25.0 A
针脚数 2
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 W
增益频宽积 4 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
热阻 0.875℃/W RθJC
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
直流电流增益hFE 4
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-204-2
外形尺寸
长度 39.37 mm
宽度 26.67 mm
高度 8.51 mm
封装 TO-204-2
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N5884G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N5884G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N5884G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR 2N5884G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE | 搜索库存 |
替代型号2N5884G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N5884G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-3 PNP -80V -25A 200000mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR 2N5884G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE | 当前型号 |
| 型号： TIP49 品牌： 安森美 封装： TO-220 40000mW | 功能相似 | 功率晶体管NPN硅 POWER TRANSISTORS NPN SILICON | 2N5884G和TIP49的区别 |
| 型号： 2N5884 品牌： 安森美 封装： TO-3 Dual P-Channel -80V -25A 200W | 功能相似 | 互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors | 2N5884G和2N5884的区别 |
| 型号： TIP48 品牌： 安森美 封装： TO-220 NPN 300V 1A 40000mW | 功能相似 | 高压硅NPN功率晶体管 High Voltage NPN Silicon Power Transistors | 2N5884G和TIP48的区别 |