额定电压DC -80.0 V
额定电流 -25.0 A
极性 Dual P-Channel
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 25A
最小电流放大倍数hFE 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数hFE 100
额定功率Max 200 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-204
封装 TO-204
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
最小包装 100
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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2N5884 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: 2N5884 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-3 Dual P-Channel -80V -25A 200W | 当前型号 | 互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power Transistors | 当前型号 | |
型号: 2N5884G 品牌: 安森美 封装: TO-3 PNP -80V -25A 200000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N5884G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 4 MHz, 200 W, 25 A, 4 hFE | 2N5884和2N5884G的区别 | |
型号: TIP48G 品牌: 安森美 封装: TO220-3 NPN 300V 1A 40000mW | 功能相似 | TIP 系列 300 V 1 A NPN 通孔 硅 功率晶体管 - TO-220AB | 2N5884和TIP48G的区别 | |
型号: BD441G 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 NPN 80V 4A 36W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD441G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新 | 2N5884和BD441G的区别 |