APT5020BVFRG、APT5020BVR、FDA28N50F对比区别
型号 APT5020BVFRG APT5020BVR FDA28N50F
描述 TO-247 N-CH 500V 26ATrans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247 TO-247 TO-3-3
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 175 mΩ
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 300 W - 310 W
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
连续漏极电流(Ids) 26.0 A - 28A
上升时间 10 ns 10 ns 137 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5387pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 310 W
下降时间 8 ns 8 ns 101 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 300000 mW 310W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 26.0 A - -
输入电容 4.44 nF - -
栅电荷 225 nC - -
长度 - - 15.8 mm
宽度 - - 5 mm
高度 - - 20.1 mm
封装 TO-247 TO-247 TO-3-3
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free