额定电压DC 500 V
额定电流 26.0 A
极性 N-CH
耗散功率 300 W
输入电容 4.44 nF
栅电荷 225 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 26.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247
封装 TO-247
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT5020BVFRG | Microsemi 美高森美 | TO-247 N-CH 500V 26A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT5020BVFRG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-247 N-CH 500V 26A 4.44nF | 当前型号 | TO-247 N-CH 500V 26A | 当前型号 | |
型号: APT5020BVRG 品牌: 美高森美 封装: TO-247 N-CH 500V 26A 4.44nF | 完全替代 | TO-247 N-CH 500V 26A | APT5020BVFRG和APT5020BVRG的区别 | |
型号: APT5020BVR 品牌: 美高森美 封装: | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3Pin3+Tab TO-247 | APT5020BVFRG和APT5020BVR的区别 | |
型号: APT5020BVFR 品牌: 美高森美 封装: | 类似代替 | TO-247 N-CH 500V 26A | APT5020BVFRG和APT5020BVFR的区别 |