FDA28N50F
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDA28N50F中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 175 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 310 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 28A
上升时间 137 ns
输入电容Ciss 5387pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 101 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDA28N50F引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDA28N50F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDA28N50F | Fairchild 飞兆/仙童 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDA28N50F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDA28N50F 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-CH 500V 28A | 当前型号 | UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： 2SK1118 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | TO-220 N-CH 600V 6A | FDA28N50F和2SK1118的区别 |
| 型号： 2SK2237 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | SILICON N CHANNEL MOS TYPE | FDA28N50F和2SK2237的区别 |
| 型号： 2SK1352 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | TRANSISTOR 7 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | FDA28N50F和2SK1352的区别 |