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KSH117ITU、MJD117-1G、MJD117I对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH117ITU MJD117-1G MJD117I

描述 Trans Darlington PNP 100V 2A 3Pin(3+Tab) IPAK TubeMJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

额定电压(DC) - -100 V -

额定电流 - -2.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1750 mW 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

直流电流增益(hFE) - 12 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

高度 6.1 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 无铅 Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -