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BC639,116、BC639RL1G、BC63916对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC639,116 BC639RL1G BC63916

描述 SPT NPN 80V 1AON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 830 mW 800 mW 1 W

增益频宽积 180 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 100 @150mA, 2V

额定功率(Max) 830 mW 625 mW 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 625 mW -

频率 - 200 MHz -

额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V

额定电流 - 1.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 40 -

最大电流放大倍数(hFE) - - 250

长度 4.8 mm 5.2 mm -

宽度 4.2 mm 4.19 mm 4.19 mm

高度 5.2 mm 5.33 mm -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99