BC639,116

NXP(恩智浦) 分立器件

SPT NPN 80V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 1A 180MHz 830mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE RADIAL

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 830mW 3-Pin TO-92 T/R

BC639,116中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 830 mW

增益频宽积 180 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC639,116引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
BC639,116	NXP 恩智浦	SPT NPN 80V 1A	搜索库存

替代型号BC639,116

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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