NTD18N06LT4G、STD12NF06LT4、STD12NF06L对比区别

高亮显示差异参数

型号 NTD18N06LT4G STD12NF06LT4 STD12NF06L

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STD12NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 18.0 A 12.0 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.054 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 55 W 30 W 30 W

阈值电压 1.8 V 3 V 2 V

输入电容 482pF @25V 350 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±15.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 12.0 A 12.0 A

上升时间 79 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 675pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 55 W 30 W -

下降时间 38 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.1 W 42.8W (Tc) 30 W

通道数 1 - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Pre-Release

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -