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NTD18N06LT4G

NTD18N06LT4G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新

N 通道功率 MOSFET,60V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD18N06LT4G, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


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MOSFET N-CH 60V 18A DPAK


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NTD18N06LT4G


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MOSFET 60V 18A N-Channel


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Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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NTD18N06LT4G N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 60 V, 3-Pin DPAK


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N-Channel 60 V 54 mOhm 55 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252-3


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MOSFET N-CH 60V 18A DPAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK


NTD18N06LT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 18.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 55 W

阈值电压 1.8 V

输入电容 482pF @25V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 79 ns

输入电容Ciss 675pF @25VVds

额定功率Max 55 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

NTD18N06LT4G引脚图与封装图
NTD18N06LT4G引脚图

NTD18N06LT4G引脚图

NTD18N06LT4G封装图

NTD18N06LT4G封装图

NTD18N06LT4G封装焊盘图

NTD18N06LT4G封装焊盘图

在线购买NTD18N06LT4G
型号 制造商 描述 购买
NTD18N06LT4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新 搜索库存
替代型号NTD18N06LT4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NTD18N06LT4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-252 N-Channel 60V 18A 54mohms

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  NTD18N06LT4G  MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新

当前型号

型号: NTD3055L104T4G

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封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms

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封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 104mohms 440pF

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