
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边, Industrial, Communications & Networking, 通信与网络, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17

STD12NF06L引脚图

STD12NF06L封装图

STD12NF06L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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STD12NF06L | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: STD12NF06L 品牌: ST Microelectronics 意法半导体 封装: DPAK N-Channel 60V 12A 80mΩ | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V | 当前型号 | |
型号: STD12NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 60V 12A 100mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V | STD12NF06L和STD12NF06LT4的区别 | |
型号: NTD18N06LT4G 品牌: 安森美 封装: TO-252 N-Channel 60V 18A 54mohms | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新 | STD12NF06L和NTD18N06LT4G的区别 | |
型号: RFD14N05LSM9A 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-252 N-Channel 50V 14mA 100mohms 670pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V | STD12NF06L和RFD14N05LSM9A的区别 |