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2N6052G、JAN2N6051、NTE248对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6052G JAN2N6051 NTE248

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6052G  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-3NTE ELECTRONICS  NTE248  达林顿双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

额定电压(DC) -100 V - 100 V

额定电流 -12.0 A - 12.0 A

输出电压 100 V - -

输出电流 12 A - -

针脚数 2 - 2

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 150 W 150 W 150 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 80 V 100 V

集电极最大允许电流 12A - 12A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @6A, 3V 1000 @6A, 3V -

最大电流放大倍数(hFE) 18000 - -

额定功率(Max) 150 W 150 W -

直流电流增益(hFE) 100 - 750

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 150 W 150000 mW 150000 mW

输入电压 5 V - -

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-3

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951