JAN2N6051
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N6051中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
JAN2N6051引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N6051
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6051 | Microsemi 美高森美 | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6051
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6051 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-3 150000mW | 当前型号 | Trans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3Pin2+Tab TO-3 | 当前型号 |
| 型号： 2N6051 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6051和2N6051的区别 |
| 型号： 2N6052G 品牌： 安森美 封装： TO-3 PNP -100V -12A 150000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N6052G 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 150 W, -12 A, 100 hFE 新 | JAN2N6051和2N6052G的区别 |
| 型号： 2N6050 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-3 PNP 60V 12A | JAN2N6051和2N6050的区别 |
