MMUN2132LT1G、PDTA143ET,215、MMUN2131LT1G对比区别

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型号 MMUN2132LT1G PDTA143ET,215 MMUN2131LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMUN2132LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23NXP  PDTA143ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE数字晶体管（ BRT ） R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 0.4 W 250 mW 246 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 30 @10mA, 5V 8 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 8

额定功率(Max) 246 mW 250 mW 246 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 400 mW 250 mW 400 mW

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

增益带宽 - 180 MHz -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.3 mm - 1.3 mm

高度 0.94 mm 1 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99