BCW33T116、SBCW33LT1G、BCW33LT1G对比区别

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型号 BCW33T116 SBCW33LT1G BCW33LT1G

描述 TRANS NPN 32V 0.1A SST3SOT-23 NPN 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW33LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 32.0 V - 32.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

针脚数 - - 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 300 mW 300 mW

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

最大电流放大倍数(hFE) - - 800

额定功率(Max) - 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 420

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99