BCW33T116
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
BCW33T116中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 32.0 V
额定电流 100 mA
击穿电压集电极-发射极 32 V
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW33T116引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCW33T116
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW33T116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-23 32V 100mA | 当前型号 | TRANS NPN 32V 0.1A SST3 | 当前型号 |
| 型号： BCW33LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BCW33LT1G 单晶体管 双极, NPN, 32 V, 300 mW, 100 mA, 420 hFE | BCW33T116和BCW33LT1G的区别 |
| 型号： BCW33,215 品牌： 安世 封装： | 类似代替 | Nexperia BCW33,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=32 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BCW33T116和BCW33,215的区别 |
| 型号： SBCW33LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 300mW | 类似代替 | SOT-23 NPN 32V 0.1A | BCW33T116和SBCW33LT1G的区别 |