SBCW33LT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SBCW33LT1G引脚图与封装图
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在线购买SBCW33LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SBCW33LT1G | ON Semiconductor 安森美 | SOT-23 NPN 32V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号SBCW33LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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