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BCW89,215、MMBTA55LT1G、BC856BLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW89,215 MMBTA55LT1G BC856BLT1G

描述 TO-236AB PNP 60V 0.1AON SEMICONDUCTOR  MMBTA55LT1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFEON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 150 MHz 50 MHz -

额定电压(DC) - -60.0 V -65.0 V

额定电流 - -500 mA -100 mA

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 0.25 W 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -65.0 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 250 mW 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 5V - -

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1.01 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99