IXFH80N20Q、STW75NF20、MTW32N20EG对比区别

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型号 IXFH80N20Q STW75NF20 MTW32N20EG

描述 TO-247AD N-CH 200V 80ASTMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V功率MOSFET 32安培， 200伏特N沟道TO- 247 Power MOSFET 32 Amps, 200 Volts N-Channel TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 28.0 mΩ 0.028 Ω 0.075 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 360 W 190 W 180 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 47.0 A, 75.0 A 32.0 A

上升时间 50 ns 33 ns 120 ns

输入电容(Ciss) 4600pF @25V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 W 190 W 180 W

下降时间 20 ns 29 ns 91 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360W (Tc) 190W (Tc) 180W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - 200 V

额定电流 80.0 A - 32.0 A

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 15.75 mm -

宽度 - 5.15 mm 5.3 mm

高度 - 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99