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STW75NF20

STW75NF20

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 200V 75A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STW75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 200V 75A


贸泽:
MOSFET Low charge STripFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW75NF20 系列 N 沟道 200 V 34 mOhm STripFET 功率 Mosfet - TO-247


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 47A; 190W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW75NF20  MOSFET Transistor, N Channel, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
200V,75A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 75A TO-247


STW75NF20中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.028 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

连续漏极电流Ids 47.0 A, 75.0 A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 3260pF @25VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW75NF20引脚图与封装图
STW75NF20引脚图

STW75NF20引脚图

STW75NF20封装焊盘图

STW75NF20封装焊盘图

在线购买STW75NF20
型号 制造商 描述 购买
STW75NF20 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STW75NF20
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW75NF20

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 200V 47A 34mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STW75NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 200 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IRFP260NPBF

品牌： 国际整流器

封装： TO-247AC N-Channel 200V 50A 40mohms

功能相似

INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFP260NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新

STW75NF20和IRFP260NPBF的区别

型号： FQA65N20

品牌： 飞兆/仙童

封装： TO-3PN N-Channel 200V 65A 32mohms

功能相似

QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

STW75NF20和FQA65N20的区别

型号： IXFH58N20

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247 N-Channel 200V 58A 40mΩ

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH58N20  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 200 V, 40 mohm, 10 V, 4 V

STW75NF20和IXFH58N20的区别