TPS1101DG4、TPS1101DRG4、TPS1101D对比区别
型号 TPS1101DG4 TPS1101DRG4 TPS1101D
描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSMOSFET 晶体管,Texas Instruments
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 0.791 W 0.791 W 791 mW
漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.3A -2.30 A
上升时间 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns
下降时间 13 ns 13 ns 13 ns
耗散功率(Max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 791 mW
额定电压(DC) - - -15.0 V
额定电流 - - -2.30 A
输出电压 - - -15.0 V
输出电流 - - ≤2.30 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 90 mΩ
漏源击穿电压 - - 15 V
额定功率(Max) - - 791 mW
工作温度(Max) - - 125 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.91 mm
高度 - - 1.58 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
香港进出口证 - - NLR