TPS1101DG4、TPS1101DRG4、TPS1101D对比区别

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型号 TPS1101DG4 TPS1101DRG4 TPS1101D

描述 单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSMOSFET 晶体管，Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 0.791 W 0.791 W 791 mW

漏源极电压(Vds) 15 V 15 V 15 V

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.3A -2.30 A

上升时间 5.5 ns 5.5 ns 5.5 ns

下降时间 13 ns 13 ns 13 ns

耗散功率(Max) 791mW (Ta) 791mW (Ta) 791 mW

额定电压(DC) - - -15.0 V

额定电流 - - -2.30 A

输出电压 - - -15.0 V

输出电流 - - ≤2.30 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 90 mΩ

漏源击穿电压 - - 15 V

额定功率(Max) - - 791 mW

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.91 mm

高度 - - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR