FQD2N100TM、STD3NK100Z、MTD6N20ET4G对比区别
型号 FQD2N100TM STD3NK100Z MTD6N20ET4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N100TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 1 kV, 7.1 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsON SEMICONDUCTOR MTD6N20ET4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 200 V, 0.46 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 900 V - 200 V
额定电流 1.60 A - 6.00 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 7.1 Ω 5.4 Ω 0.46 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 90 W 50 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 200 V
漏源击穿电压 1.00 kV - 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.60 mA - 6.00 A
上升时间 30 ns 7.5 ns 29 ns
输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 601pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 90 W 1.75 W
下降时间 35 ns 32 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 90W (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc)
输入电容 - - 480 pF
栅电荷 - - 21.0 nC
通道数 - 1 -
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.1 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99