SPP07N60C3XKSA1、SPP07N60S5、IPP60R600P6XKSA1对比区别

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型号 SPP07N60C3XKSA1 SPP07N60S5 IPP60R600P6XKSA1

描述 INFINEON  SPP07N60C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 650 V 650 V -

额定电流 7.30 A 7.30 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.54 Ω 0.54 Ω 0.54 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 83 W 83 W 63 W

阈值电压 3 V 4.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.30 A 7.3A

上升时间 3.5 ns 40 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 970pF @25V(Vds) 557pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 83 W 83 W -

下降时间 7 ns 20 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 63W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

额定功率 - - 63 W

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 15.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -