
额定功率 63 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-CH
耗散功率 63 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7.3A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 557pF @100VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 63W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 PWM stages TTF, LLC for, PFC stages for, , telecom rectifier,
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPP60R600P6XKSA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPP60R600P6XKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 650V 7.3A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: SPP07N60C3XKSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 650V 7.3A | 类似代替 | INFINEON SPP07N60C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | IPP60R600P6XKSA1和SPP07N60C3XKSA1的区别 | |
型号: IPP60R600P6 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-CH 650V 7.3A | 类似代替 | TO-220 N-CH 650V 7.3A | IPP60R600P6XKSA1和IPP60R600P6的区别 | |
型号: IPP60R600CP 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 600V 6.1A | 类似代替 | 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor | IPP60R600P6XKSA1和IPP60R600CP的区别 |