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SPP07N60S5

SPP07N60S5

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INFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V

The is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for general purpose applications.

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New revolutionary high voltage technology
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Extreme dV/dt rated
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Ultra low effective capacitance
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Qualified according to JEDEC for target applications
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Improved transconductance
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Innovative high voltage technology
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Worldwide best RDS ON
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Periodic avalanche rated
SPP07N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.54 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 970pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

SPP07N60S5引脚图与封装图
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在线购买SPP07N60S5
型号 制造商 描述 购买
SPP07N60S5 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V 搜索库存
替代型号SPP07N60S5
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPP07N60S5

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A

当前型号

INFINEON  SPP07N60S5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V

当前型号

型号： SPA07N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A 790pF

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INFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V

SPP07N60S5和SPA07N60C3的区别

型号： SPP07N60C3XKSA1

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 650V 7.3A

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品牌： 英飞凌

封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A

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