MUN5335DW1T1G、PUMD10,115、PUMD10对比区别

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型号 MUN5335DW1T1G PUMD10,115 PUMD10

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363NXP  PUMD10,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP  PUMD10  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SOT-363

针脚数 - 6 6

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 187 mW 200 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 @10mA, 5V 100

额定功率(Max) 250 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) 140 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 300 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - -

高度 0.9 mm 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SOT-363-6 SOT-363

长度 2 mm - 2.2 mm

宽度 1.25 mm - 1.35 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

ECCN代码 EAR99 - -