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MUN5335DW1T1G

MUN5335DW1T1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88


欧时:
SS SC88 BR XSTR DUAL 50V


立创商城:
互补双极数字晶体管 BRT


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, NPN和PNP执行, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R


富昌:
MUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN/PNP 双 偏置 电阻 晶体管 - SOT-363


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R


TME:
Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT, complementary; 50V; 0.1A


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 Ratio


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363


MUN5335DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN, PNP

耗散功率 187 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

直流电流增益hFE 140

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5335DW1T1G引脚图与封装图
MUN5335DW1T1G引脚图

MUN5335DW1T1G引脚图

MUN5335DW1T1G封装焊盘图

MUN5335DW1T1G封装焊盘图

在线购买MUN5335DW1T1G
型号 制造商 描述 购买
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363 搜索库存
替代型号MUN5335DW1T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5335DW1T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MUN5335DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363

当前型号

型号: MUN5331DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN PNP 50V 100mA 385mW

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