PUMD10,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PUMD10,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN, PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automation & Process Control, Computers & Computer Peripherals, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
PUMD10,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PUMD10,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMD10,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMD10,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMD10,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMD10,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PUMD10,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： PUMD10,125 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP NPN PNP 0.3W | 类似代替 | TSSOP NPN+PNP 50V 100mA | PUMD10,115和PUMD10,125的区别 |
| 型号： MUN5335DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5335DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 4.7 kohm, 0.47 电阻比率, SOT-363 | PUMD10,115和MUN5335DW1T1G的区别 |
| 型号： DCX123JU-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA 200mW | 功能相似 | DCX123JU-7-F 编带 | PUMD10,115和DCX123JU-7-F的区别 |