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MJE5742、MJE5742G、MJE5740G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE5742 MJE5742G MJE5740G

描述 NPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTSON SEMICONDUCTOR  MJE5742G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 400 V, 80 W, 8 A, 400 hFENPN硅功率达林顿晶体管8安培300-400 VOLTS 80瓦 NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 80 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 300 V

集电极最大允许电流 8A 8A 8A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 100 W 2000 mW

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 8.00 A 8.00 A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2A, 5V 200 @2A, 5V -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

输出电压 - 400 V -

输出电流 - 8 A -

针脚数 - 3 -

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

直流电流增益(hFE) - 400 -

输入电压 - 8 V -

长度 - 10.28 mm 10.28 mm

宽度 - 4.82 mm 4.82 mm

高度 - 15.75 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Bulk Tube Tube

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -