BSP52T3、BSP52T3G对比区别

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型号 BSP52T3 BSP52T3G

描述 NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington TransistorON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261-4 TO-261-4

引脚数 - 4

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

无卤素状态 - Halogen Free

输出电压 - 80 V

输出电流 - 1 A

针脚数 - 4

耗散功率 - 800 mW

热阻 - 156℃/W (RθJA)

直流电流增益(hFE) - 2000

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 125 W

输入电压 - 5 V

封装 TO-261-4 TO-261-4

长度 - 6.7 mm

宽度 - 3.7 mm

高度 - 1.75 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99