BSP52T3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BSP52T3引脚图与封装图
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在线购买BSP52T3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP52T3 | ON Semiconductor 安森美 | NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSP52T3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP52T3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A | 当前型号 | NPN小信号达林顿晶体管 NPN Small−Signal Darlington Transistor | 当前型号 |
| 型号： BSP52T3G 品牌： 安森美 封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T3G 达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223 | BSP52T3和BSP52T3G的区别 |