BSS123LT1G、SS12、BSS123对比区别

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型号 BSS123LT1G SS12 BSS123

描述 N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorON Semiconductor 二极管 SS12 肖特基, Io=1A, Vrev=20V, 2引脚 DO-214AC (SMA)封装FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管肖特基二极管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 2 3

封装 SOT-23-3 DO-214AC SOT-23-3

针脚数 3 2 3

正向电压 - 500 mV -

耗散功率 225 mW 1.1 W 360 mW

热阻 - 88℃/W (RθJA) -

正向电流 - 1 A -

最大正向浪涌电流（Ifsm） - 40 A -

正向电压(Max) 1.3 V 500 mV -

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 225mW (Ta) 1100 mW 0.36 W

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 170 mA - 170 mA

额定功率 0.225 W - 250 mW

通道数 1 - 1

漏源极电阻 6 Ω - 1.2 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 800 mV - 1.7 V

输入电容 20pF @25V - 73.0 pF

栅电荷 - - 2.50 nC

漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 170 mA - 170 mA

上升时间 - - 9 ns

输入电容(Ciss) 20pF @25V(Vds) - 73pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 225 mW - 360 mW

下降时间 - - 2.4 ns

无卤素状态 Halogen Free - -

长度 2.9 mm 4.75 mm 2.92 mm

宽度 1.3 mm 2.95 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 2.2 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 DO-214AC SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99