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MUN5113T1G、MUN5114T1、FJX4004RTF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5113T1G MUN5114T1 FJX4004RTF

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsMUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路特点•开关应用(偏置电阻内置)•开关电路,逆变器,接口电路,驱动器电路•内置偏置电阻(R1=47KΩ,R2=47KΩ)•到FJX3004R补

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V

额定功率(Max) 202 mW 202 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

增益带宽 - - 200 MHz

耗散功率(Max) 300 mW - 200 mW

无卤素状态 Halogen Free - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

高度 0.85 mm - 0.9 mm

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-323

长度 2.1 mm - -

宽度 1.24 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99