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MUN5114T1

MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.21 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 140 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.31W/310mW Description & Applications| FEATURES •bias resistor transistors •PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •The SOT-23 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull-winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die. •Available in 8 mm embossed tape and reel. Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel. Replace “T1” with “T3” in the Device Number to order the 13 inch/10,000 unit reel 描述与应用| 特点 •偏置电阻 •PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量SOT-23封装,可以使用波或回流焊接。该改性鸥翅引线在焊接热应力吸收消除电路小片损坏的可能性。 •可在8 mm压纹带和卷轴。使用设备号到责令7 inch/3000的单位卷轴。替换“T1”与“T3”设备编号责令13 inch/10的000个单位卷轴

MUN5114T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MUN5114T1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MUN5114T1 ON Semiconductor 安森美 MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5114T1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323/SC-70 PNP -50V -100mA

当前型号

MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

当前型号

型号: MUN5114T1G

品牌: 安森美

封装: SC-70 PNP -50V -100mA 310mW

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN5114T1和MUN5114T1G的区别

型号: MUN5133T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  MUN5133T1G  晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 电阻比率, SC-70 新

MUN5114T1和MUN5133T1G的区别

型号: MUN5113T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 300mW

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

MUN5114T1和MUN5113T1G的区别