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MUN5113T1G

MUN5113T1G

数据手册.pdf

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 单,预偏置 PNP - 预偏压 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5113T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, 1 Ratio, SC-70


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3


MUN5113T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 80

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5113T1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MUN5113T1G ON Semiconductor 安森美 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors 搜索库存
替代型号MUN5113T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5113T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 300mW

当前型号

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

当前型号

型号: MUN5113T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 300mW

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN5113T1G和MUN5113T3G的区别

型号: MUN5114T1

品牌: 安森美

封装: SOT-323/SC-70 PNP -50V -100mA

完全替代

MUN5114T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 140 0.31W/310mW SOT-323/SC-70 标记6D 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

MUN5113T1G和MUN5114T1的区别

型号: MUN5133T1

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA

完全替代

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN5113T1G和MUN5133T1的区别