FDS6685、TPS1100D、TPS1100DR对比区别
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) -30.0 V -15.0 V -
额定电流 -8.80 A -1.60 A -
输出电压 - -15.0 V -
漏源极电阻 0.02 Ω 0.18 Ω -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 791 mW 0.791 W
漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 15 V
连续漏极电流(Ids) 8.80 A -1.60 A 1.6A
上升时间 13.5 ns 10 ns 10 ns
额定功率(Max) 1 W 791 mW 791 mW
下降时间 - 2 ns 2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 85 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 791mW (Ta)
输入电容 1.60 nF - -
栅电荷 17.0 nC - -
漏源击穿电压 20.0 V - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
输入电容(Ciss) 1604pF @15V(Vds) - -
通道数 - - 1
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.91 mm
高度 - - 1.75 mm
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
香港进出口证 - NLR -