FDS6685
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6685中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -8.80 A
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.60 nF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 8.80 A
上升时间 13.5 ns
输入电容Ciss 1604pF @15VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDS6685引脚图与封装图
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在线购买FDS6685
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6685 | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDS6685
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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