CSD17552Q3A、FDMS8880对比区别

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型号 CSD17552Q3A FDMS8880

描述 30V N 通道 MOSFETN沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V ， 21 A， 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSON-FET-8 Power-56-8

通道数 1 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.0055 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.6 W 2.5 W

阈值电压 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 74A 13.5A

上升时间 7.4 ns 6 ns

输入电容(Ciss) 2050pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds)

下降时间 3.4 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.6W (Ta) 2.5W (Ta), 42W (Tc)

额定功率(Max) - 2.5 W

长度 3.25 mm -

宽度 3.1 mm -

高度 0.9 mm -

封装 VSON-FET-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - -

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 -