FDMS8880
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDMS8880中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.5A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 1585pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
耗散功率Max 2.5W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
外形尺寸
封装 Power-56-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDMS8880引脚图与封装图
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在线购买FDMS8880
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDMS8880 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V ， 21 A， 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ | 搜索库存 |
替代型号FDMS8880
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDMS8880 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： Power-56-8 N-CH 30V 13.5A | 当前型号 | N沟道MOSFET PowerTrench㈢ 30 V ， 21 A， 8.5米ヘ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30 V, 21 A, 8.5 mヘ | 当前型号 |
| 型号： CSD17552Q3A 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-Channel 30V 74A | 功能相似 | 30V N 通道 MOSFET | FDMS8880和CSD17552Q3A的区别 |