CSD17552Q3A
TI(德州仪器)
分立器件
30V N 通道 MOSFET
本示例中使用的 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 48°C/W，这是在一个厚度为 0.06 英寸 1.52mm 的 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸26.45cm2，
2 盎司（厚度 0.071mm）的铜过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
- .
- 超低 Qg 和 Qgd
- .
- 低热阻
- .
- 雪崩额定值
- .
- 无铅
- .
- 符合 RoHS 环保标准
- .
- 无卤素
- .
- 小外形尺寸无引线 SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
## 应用范围
- .
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- .
- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
