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MMBT918LT1G、MPS918、MPS918G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT918LT1G MPS918 MPS918G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V

额定电流 50.0 mA 50.0 mA 50.0 mA

极性 NPN - N-Channel

耗散功率 225 mW 350 mW 350 mW

输入电容 2pF (Max) 2pF (Max) 2pF (Max)

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @3mA, 1V 20 @8mA, 10V 20 @8mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 350 mW 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 350 mW 350 mW

频率 600 MHz - -

针脚数 3 - -

增益频宽积 600 MHz - -

增益 11 dB - -

直流电流增益(hFE) 20 - -

高度 1.01 mm 7.87 mm 5.33 mm

封装 SOT-23-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Box Box

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

ECCN代码 EAR99 - -