锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT918LT1G

MMBT918LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE

射频双极,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3


欧时:
ON Semiconductor MMBT918LT1G , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:20, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
NPN 双极晶体管


e络盟:
单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
ON Semi MMBT918LT1G NPN RF Bipolar Transistor, 0.05 A, 15 V, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE


Win Source:
TRANS SS VHF NPN 15V SOT23


DeviceMart:
TRANS SS VHF NPN 15V SOT23


MMBT918LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 600 MHz

额定电压DC 15.0 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

输入电容 2pF Max

增益频宽积 600 MHz

击穿电压集电极-发射极 15 V

增益 11 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT918LT1G引脚图与封装图
MMBT918LT1G引脚图

MMBT918LT1G引脚图

MMBT918LT1G封装焊盘图

MMBT918LT1G封装焊盘图

在线购买MMBT918LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBT918LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE 搜索库存
替代型号MMBT918LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT918LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 15V 50mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBT918LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE

当前型号

型号: MMBT918LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 15V 50mA 300mW

完全替代

VHF / UHF晶体管( NPN硅) VHF/UHF TransistorNPN Silicon

MMBT918LT1G和MMBT918LT1的区别

型号: MPS918

品牌: 安森美

封装: TO-92 15V 50mA 350mW

类似代替

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

MMBT918LT1G和MPS918的区别

型号: MPS918G

品牌: 安森美

封装: TO-92 N-Channel 15V 50mA 350mW

类似代替

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

MMBT918LT1G和MPS918G的区别