MPS918中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 15.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
输入电容 2pF Max
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 7.87 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPS918引脚图与封装图
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在线购买MPS918
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPS918 | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号MPS918
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPS918 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 15V 50mA 350mW | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT918LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 15V 50mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBT918LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, 20 hFE | MPS918和MMBT918LT1G的区别 |
| 型号： BFS17P 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23/SC-59 NPN | 类似代替 | BFS17P NPN三极管 25V 25mA 2.5GHz 20~150 400mV/0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 MC 宽带放大器 | MPS918和BFS17P的区别 |
| 型号： MMBT918 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t-Npn Si- Vhf | MPS918和MMBT918的区别 |