BQ4013YMA-85、M48Z128Y-85PM1、DS1245AB-85+对比区别

高亮显示差异参数

型号 BQ4013YMA-85 M48Z128Y-85PM1 DS1245AB-85+

描述 128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM5.0 V或3.3 V ， 1兆位（ 128千位×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit (128 Kbit x 8) ZEROPOWER? SRAMIC NVSRAM 1024Kbit 85NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 -

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) -

供电电流 50 mA - -

时钟频率 85.0 GHz 85.0 GHz -

存取时间 85.0 ns 85.0 ns 85 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B -

存取时间(Max) 85 ns 85 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.25V

工作电压 - - 5 V

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tray Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -