BQ4013YMA-85

TI(德州仪器) 电子元器件分类

128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 85ns 32-DIP Module 18.42x42.8

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PAR 32DIP MODULE

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 5V 32-Pin DIP Module

DeviceMart:
IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP

Win Source:
IC NVSRAM 1MBIT 85NS 32DIP

BQ4013YMA-85中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85.0 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BQ4013YMA-85引脚图与封装图

BQ4013YMA-85引脚图

BQ4013YMA-85封装图

BQ4013YMA-85封装焊盘图

在线购买BQ4013YMA-85

型号	制造商	描述	购买
BQ4013YMA-85	TI 德州仪器	128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM	搜索库存

替代型号BQ4013YMA-85

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BQ4013YMA-85 品牌： TI 德州仪器封装： DIP 1000000B 5V 85ns 32Pin	当前型号	128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM	当前型号
型号： BQ4013YMA-85N 品牌：德州仪器封装： DIP 5V	类似代替	128Kx8非易失SRAM 128Kx8 Nonvolatile SRAM	BQ4013YMA-85和BQ4013YMA-85N的区别
型号： DS1245Y-85+ 品牌：美信封装： DIP 125000B 5V 85ns 32Pin	功能相似	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-85+ 芯片, 存储器, NVRAM	BQ4013YMA-85和DS1245Y-85+的区别
型号： M48Z128Y-85PM1 品牌：意法半导体封装： DIP 1000000B 5V 85ns 32Pin	功能相似	5.0 V或3.3 V ， 1兆位（ 128千位×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5.0 V or 3.3 V, 1 Mbit 128 Kbit x 8 ZEROPOWER? SRAM	BQ4013YMA-85和M48Z128Y-85PM1的区别