STD10P6F6、STD10PF06T4、NTD20P06LT4G对比区别

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型号 STD10P6F6 STD10PF06T4 NTD20P06LT4G

描述 P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -10.0 A -15.0 A

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.13 Ω 0.18 Ω 0.143 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 35 W 40 W 65 W

阈值电压 4 V 4 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 15.5 A

上升时间 5.3 ns 40 ns 90 ns

输入电容(Ciss) 340pF @48V(Vds) 850pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 35 W 40 W 65 W

下降时间 3.7 ns 10 ns 70 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 40W (Tc) 65000 mW

输入电容 340 pF - -

正向电压(Max) 1.1 V - -

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 7.45 mm 6.2 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99