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NTD20P06LT4G

NTD20P06LT4G

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ON Semiconductor 安森美 分立器件

ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，


得捷:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK


欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTD20P06LT4G, 15.5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
NTD20P06LT4G


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
NTD20P06LT4G P-channel MOSFET Transistor; 15.5 A; 60 V; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -15.5A; 65W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 15.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G  MOSFET Transistor, P Channel, 15.5 A, -60 V, 0.143 ohm, -5 V, -1.5 V


力源芯城:
-60V,-15.5A功率MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK


DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK


NTD20P06LT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -15.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.143 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 65 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 15.5 A

上升时间 90 ns

输入电容Ciss 1190pF @25VVds

额定功率Max 65 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 65000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

NTD20P06LT4G引脚图与封装图
NTD20P06LT4G引脚图

NTD20P06LT4G引脚图

NTD20P06LT4G封装焊盘图

NTD20P06LT4G封装焊盘图

在线购买NTD20P06LT4G
型号 制造商 描述 购买
NTD20P06LT4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK 搜索库存
替代型号NTD20P06LT4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： NTD20P06LT4G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-252 P-Channel -60V 15.5A 130mohms

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK

当前型号

型号： NTD20P06LG

品牌： 安森美

封装： TO-252 P-Channel -60V 15.5A 130mohms 1.19nF

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P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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型号： NTD20P06L-1G

品牌： 安森美

封装： TO-252 P-Channel -60V 15.5A 130mohms 1.19nF

类似代替

-60V,-15.5A功率MOSFET

NTD20P06LT4G和NTD20P06L-1G的区别

型号： NTD20P06LT4

品牌： 安森美

封装： TO-252 P-Channel 60V 15A 130mohms

类似代替

功率MOSFET -60 V， -15.5 A单P沟道， DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK

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