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STD10PF06T4

STD10PF06T4

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STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

The is a STripFET™ II P-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

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0.18R RDS ON
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Exceptional dV/dt capability
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100% Avalanche tested
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Low gate charge
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Application oriented characterization
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Surface-mount power package
STD10PF06T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.18 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 850pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, Motor Drive & Control, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STD10PF06T4引脚图与封装图
STD10PF06T4引脚图

STD10PF06T4引脚图

STD10PF06T4封装图

STD10PF06T4封装图

STD10PF06T4封装焊盘图

STD10PF06T4封装焊盘图

在线购买STD10PF06T4
型号 制造商 描述 购买
STD10PF06T4 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V 搜索库存
替代型号STD10PF06T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STD10PF06T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V

当前型号

型号： STD10P6F6

品牌： 意法半导体

封装： DPAK P-Channel

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品牌： 意法半导体

封装： TO-252 P-Channel 60V 10A 180mohms

类似代替

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